수직 증축 낸드 플래시 메모리 반도체

수직 증축 낸드 플래시 메모리 반도체

 

데이터를 저장하는 반도체 셀(cell)을 수직으로 쌓아올려 만든 반도체. 삼성전자는 2013년 8월 세계 최초로 메모리 반도체 셀을 수직으로 쌓아올려 집적도를 높이고 속도를 올린 수직 증축 낸드 플래시 메모리 반도체 양산을 시작할 예정이라고 발표했다. 삼성전자는 이 제품이 기존의 20나노급(셀 사이 간격이 20나노미터, 1나노미터는 10억분의 1미터) 반도체에 비해 집적도가 2배 정도 높다고 밝혔다. 이에 따라 데이터를 저장하는 속도도 2배 이상 빨라지고, 소비 전력도 절반 정도로 줄게 됐다.

 

수직 증축 방식은 고층 건물을 짓는 것에 비유된다. 기존의 반도체는 모두 단층 주택처럼 가로로 셀을 이어붙이는 방식이었다. 하지만 수직 증축 방식은 셀을 세로로 쌓아 올려 같은 크기 반도체에 더 많은 셀을 담을 수 있게 됐다. 삼성전자 등 반도체 업체들이 수직 증축 메모리 제작에 나선 것은 반도체 공정 미세화가 한계에 도달했기 때문. 현재 방식 반도체는 셀 간격을 10나노미터까지 줄일 경우, 근처 셀들끼리 간섭하는 현상이 나타난다. 이 때문에 수평 배치로는 집적도를 높일 수 없어 수직 증축 방식을 도입하게 된 것이다.

 

삼성전자는 2018년에는 1테라비트 크기 낸드플래시를 개발할 수 있을 것으로 관측하고 있다. 1테라비트 크기 낸드 플래시에는 고화질(DVD급) 영화 25편 이상이 들어간다.

 

(조선일보 2013년 8월 7일 B1, 3면)